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J-GLOBAL ID：201402232866109907   整理番号：14A0209273

デバイス形態の異なるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの電気的バイアス温度不安定性に関する比較調査

Comparative studies on electrical bias temperature instabilities of In-Ga-Zn-O thin film transistors with different device configurations

著者 (4件)： RYU Min-Ki (Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), Daejeon, KOR) ,  PARK Sang-Hee Ko (Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), Daejeon, KOR) ,  HWANG Chi-Sun (Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), Daejeon, KOR) ,  YOON Sung-Min (Kyung Hee Univ., Gyeonggido, KOR)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 89  ページ： 171-176  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *熱安定性 ,  *不安定性 ,  ゲート【半導体】 ,  素子構造 ,  電圧 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  ターンオン電圧 ,  トップゲート ,  ボトムゲート ,  界面トラップ ,  *正バイアス温度不安定性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 形態 ,  In-Ga-Zn-O ,  薄膜トランジスタ ,  バイアス温度不安定性 ,  調査