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J-GLOBAL ID：201402234910198346   整理番号：14A0224269

高周波において異なる抵抗率を有するシリコン基板の損失メカニズムとハイ・ロー・ドーピングプロファイル効果

Loss Mechanism and High-low Doping Profile Effects of Silicon Substrate with Different Resistivities at High Frequency

著者 (3件)： SHU Wen (Univ. Texas at Dallas, TX, USA) ,  SHICHIJO Sam (Univ. Texas at Dallas, TX, USA) ,  HENDERSON Rashaunda M. (Univ. Texas at Dallas, TX, USA)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2013 Vol.2  ページ： 1043-1046  発行年： 2013年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最大110GHzまでの周波数領域における,コプレーナ導波路(CPW)線路の特性を調べることにより,8000Ω-cm,15Ω-cm及び0.015Ω-cmのシリコン基板の特性解析を行った。この三種類の基板について特性インピーダンスと減衰定数を比較した。8000Ω-cmと15Ω-cmの基板について,減衰量をハイ・ロー・ドーピングプロファイルの関数として調べた。高ドーピング濃度の薄い層が減衰に大きな影響を与えていることを示した。

シソーラス用語： *コプレーナ導波路 ,  電気抵抗率 ,  *ウエハ【IC】 ,  損失 ,  *不純物分布 ,  特性インピーダンス ,  減衰
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  *ドーピングプロファイル ,  抵抗率

分類 (1件)： 導波管,同軸線路  (NC04040N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波 ,  抵抗率 ,  シリコン基板 ,  損失 ,  メカニズム ,  ドーピングプロファイル