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J-GLOBAL ID：201402235126758048   整理番号：14A0978546

10~30 keV注入による絶縁体の二次電子収率のパラメーター式

THE FORMULAE FOR PARAMETERS OF THE SECONDARY ELECTRON YIELD OF INSULATORS FROM 10 keV TO 30 keV

著者 (4件)： XIE Ai-Gen (Nanjing Univ. of Information Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  LI Qing-Fang (Nanjing Univ. of Information Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  CHEN Yun-Yun (Nanjing Univ. of Information Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  WU Hong-Yan (Nanjing Univ. of Information Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
資料名： Modern Physics Letters B. Condensed Matter Physics, Statistical Physics, Applied Physics  (Modern Physics Letters B. Condensed Matter Physics, Statistical Physics, Applied Physics)
巻： 27  号： 32  ページ： 1350238.1-1350238.10  発行年： 2013年12月30日 
JST資料番号： T0431A  ISSN： 0217-9849  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 注入 ,  絶縁体 ,  二次電子 ,  収率 ,  パラメーター