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J-GLOBAL ID：201402235421513391   整理番号：14A1490269

PAMBEによりサファイア上に成長したInNエピ層の構造,電気的及び光学的特性に及ぼす窒化の効果

Effect of nitridation on structure, electrical and optical properties of InN epilayers grown on sapphire by PAMBE

著者 (9件)： ZHAO Yang (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...) ,  WANG Hui (School of Physics and Engineering, Henan Univ. of Sci. and Technol., Luoyang 471003, CHN) ,  WU Guoguang (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...) ,  JING Qiang (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...) ,  GAO Fubin (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...) ,  LI Wancheng (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...) ,  ZHANG Baolin (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...) ,  DU Guotong (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...) ,  DU Guotong (School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116023, CHN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 111  ページ： 15-18  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InNエピ層を,プラズマ支援分子ビームエピタクシー(PAMBE)により,c面(0001)サファイア基板上に作製した。InN膜の構造,表面モルフォロジー,電気的及び光学的特性に及ぼす窒化の効果を,XRD,RHEED,SEM,AFM,Hall及びPL測定により研究した。結果は,結晶品質及び表面形態の大きな改善,及び窒化後成長したInN膜の電気的及び光学的特性の増倍を示した。さらに,InN膜のエネルギーバンドギャップも,光吸収及びPL測定により決定した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *MBE成長 ,  基板 ,  *窒化 ,  モルフォロジー ,  *表面構造 ,  光吸収スペクトル ,  *光ルミネセンス ,  *サファイア ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  Hall移動度 ,  赤外発光スペクトル
準シソーラス用語： *プラズマMBE

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア ,  成長 ,  InN ,  エピ層 ,  光学的特性 ,  窒化