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J-GLOBAL ID：201402235596468291   整理番号：14A0381969

効率44.7%を有するウエハ結合した4接合GaInP/GaAs∥GaInAsP/GaInAs集光型太陽電池

Wafer bonded four-junction GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs concentrator solar cells with 44.7% efficiency

著者 (23件)： DIMROTH Frank (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  GRAVE Matthias (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  BEUTEL Paul (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  FIEDELER Ulrich (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  KARCHER Christian (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  TIBBITS Thomas N. D. (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  OLIVA Eduard (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  SIEFER Gerald (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  SCHACHTNER Michael (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  WEKKELI Alexander (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  BETT Reas W. (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  KRAUSE Rainer (SOITEC S.A., Bernin, FRA) ,  PICCIN Matteo (SOITEC S.A., Bernin, FRA) ,  BLANC Nicolas (SOITEC S.A., Bernin, FRA) ,  DRAZEK Charlotte (SOITEC S.A., Bernin, FRA) ,  GUIOT Eric (SOITEC S.A., Bernin, FRA) ,  GHYSELEN Bruno (SOITEC S.A., Bernin, FRA) ,  SALVETAT Thierry (CEA LETI MINATEC campus, Grenoble, FRA) ,  TAUZIN Aurelie (CEA LETI MINATEC campus, Grenoble, FRA) ,  SIGNAMARCHEIX Thomas (CEA LETI MINATEC campus, Grenoble, FRA) ,  DOBRICH Anja (Helmholtz-Zentrum Berlin HZB, Berlin, DEU) ,  HANNAPPEL Thomas (Helmholtz-Zentrum Berlin HZB, Berlin, DEU) ,  SCHWARZBURG Klaus (Helmholtz-Zentrum Berlin HZB, Berlin, DEU)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 22  号： 3  ページ： 277-282  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V族化合物半導体から構成される多接合型太陽電池における格子不整合の度合いの大きい半導体層間を接合するために直接ウエハ接合を採用した。本研究で取り上げた4接合太陽電池の最上層のGa-ASをベースとするタンデム太陽電池構造とInPをベースとするボトムタンデム太陽電池の格子不整合は3.7%あるが,この両層をウエハ接合により接合した。接合により得た4接合太陽電池はAM1.5dスペクトルを有する297倍集光照射により最大効率44.7%を示した。論文では接合プロセスおよび電池性能試験の詳細について報告した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  化合物半導体 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  バンドギャップ ,  *格子不整合 ,  接合
準シソーラス用語： *III-V族化合物半導体 ,  ウエハ接合 ,  ひ化インジウムガリウム ,  リン化インジウムガリウム ,  *集光型太陽電池 ,  *多接合型化合物半導体太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： ウエハ ,  GaInP ,  GaAs ,  GaInAsP ,  GaInAs ,  集光型太陽電池