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J-GLOBAL ID：201402235639273988   整理番号：14A1234363

領域選択成長によるSi基板上へのIII-Vナノワイヤトランジスタの集積化の最近の進展

Recent progress in integration of III-V nanowire transistors on Si substrate by selective-area growth

著者 (3件)： TOMIOKA Katsuhiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 47  号： 39  ページ： 394001,1-13  発行年： 2014年10月01日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来的な電気素子,および,オプトエレクトロニクス素子への応用が有望なIII-V族半導体ナノワイヤ(NW)が盛んに研究されている。特に,InAsとInGaAs NWが次世代の電界効果トランジスタ(FET)のチャンネル物質として注目されている。シリコンCMOS技術において,III-V族半導体について,すでに多くの研究がなされ,詳しく調べられているが,Si基板上での垂直III-V NWについての研究は,この構造を作製する際の結晶欠陥を抑制することが困難なために,未だ,ほとんどなされていない。本論文では,領域選択成長によってSi基板上に作製した垂直III-V NWを用いたトランジスタの集積化の最近の進展について報告する。III-V NW/Siヘテロ界面に対する詳細な研究から,ミスフィット転位を極力抑えたNW成長が可能であることを実証した。さらに,III-V NWを用いたFETを作製し,電気的性質を調べ,結果について論じた。

シソーラス用語： 選択成長 ,  ウエハ【IC】 ,  化合物半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  不整合転位 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化インジウム
準シソーラス用語： III-VI化合物半導体 ,  Si基板 ,  *ナノワイアトランジスタ ,  ミスフィット転位 ,  領域選択成長

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 領域選択成長 ,  Si基板 ,  ナノワイヤトランジスタ ,  集積化 ,  進展