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J-GLOBAL ID：201402235760064601   整理番号：14A1448829

Ge CMOSのためのキャリア活性化増強(CAE)技術を用いた超低接触抵抗NiGeのその場接触形成

In-situ Contact Formation for Ultra-low Contact Resistance NiGe Using Carrier Activation Enhancement (CAE) Techniques for Ge CMOS

著者 (5件)： MIYOSHI Hidenori (Tokyo Electron Ltd., Yamanashi, JPN) ,  UENO Tetsuji (Tokyo Electron Ltd., Yamanashi, JPN) ,  AKIYAMA Koji (Tokyo Electron Ltd., Yamanashi, JPN) ,  HIROTA Yoshihiro (Tokyo Electron Ltd., Yamanashi, JPN) ,  KAITSUKA Takanobu (Tokyo Electron Ltd., Yamanashi, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2014  ページ： 146-147  発行年： 2014年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *接触抵抗 ,  *ニッケル化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  CMOS構造 ,  半導体プロセス ,  二次イオン質量分析 ,  電流電圧特性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  CMOS ,  キャリア ,  活性化 ,  増強 ,  CAE ,  接触抵抗