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J-GLOBAL ID：201402238967313295   整理番号：14A1101493

アンチモン添加による新規窒化物半導体混晶の創製-サーファクタント効果の初期的検討-

著者 (7件)： 竹内哲也 (名城大 理工) ,  鈴木智行 (名城大 大学院理工学研究科) ,  笹島浩希 (名城大 理工) ,  岩谷素顕 (名城大 理工) ,  上山智 (名城大 理工) ,  赤崎勇 (名城大 大学院理工学研究科) ,  赤崎勇 (名古屋大 赤崎記念研究セ)
資料名： 名城大学総合研究所紀要  (Bulletin of Research Institute of Meijo University)
号： 18  ページ： 57-61  発行年： 2013年03月31日 
JST資料番号： L6402A  ISSN： 1344-8099  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化物半導体は,AlN,GaN,InN,およびそれらの混晶であり,LED電球を構成する青色発光ダイオードの構成材料である。ここでは,Sbを添加した新規窒化物半導体混晶の創製を提案し,Sbによる期待される効果をGaN結晶に取り込まれるSb量に応じて概説した。この新規混晶が創製されれば,窒化物半導体における二つの課題,すなわちワイドギャップ高品質ヘテロ接合とワイドギャップ高濃度p型層の実現に大きく近付く可能性を有する。さらに,GaNSb混晶の初期的検討として,Sbを添加したGaN結晶の成長温度依存性を検討した。その結果,従来の成長温度より大幅に低い成長温度において,平坦なGaN膜が形成されることが分かった。

シソーラス用語： *アンチモン ,  *添加 ,  化合物半導体 ,  *混晶半導体 ,  界面活性剤 ,  窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  窒化インジウム ,  発光ダイオード ,  品質 ,  ヘテロ接合 ,  濃度 ,  P型半導体 ,  層 ,  温度依存性 ,  半導体薄膜 ,  ワイドギャップ半導体 ,  高濃度 ,  高品質 ,  成長温度 ,  青色発光ダイオード ,  *窒化物半導体

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： アンチモン ,  窒化物半導体 ,  混晶 ,  創製 ,  サーファクタント ,  初期