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J-GLOBAL ID:201402239799926010   整理番号:14A1484323

CdZnTe検出器性能を改善するためのTe介在物を制御するための冷却プロセス最適化

Cooling process optimization to control Te inclusions for improving CdZnTe detector performance
著者 (7件):
資料名:
巻: 30  ページ: 14-17  発行年: 2015年02月 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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種々の速度の冷却プロセスによって処理されたCdZnTe結晶中のTe介在物分布の調査から,10-20K/hで徐々に冷却すると濃度が低くなり,Te介在物のサイズが大きくなり,Teの総体積分率が高レベルになり,IR透過率が減少する。速く冷却すると,Te介在物の寸法が小さくなり,濃度が増加した。冷却速度をさらに早くすると,濃度がさらに高くなり,さらに赤外線透過率が改善された。エネルギースペクトルの測定から,低速または早すぎる冷却速度によって誘起される,それぞれ,大型または高濃度のTe含有物は,分光性能を縮退することを実証した。40-50K/hの冷却が最適であり,一定量ではあるが,小型のTe介在物を含み,低総体積分率を保ち,優れたエネルギー分解能を示す。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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半導体の結晶成長 
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