イオン・ビームにより誘起されるシリコン・カーバイド金属酸化物半導体素子の破壊電圧

文献

J-GLOBAL ID：201402240839357861 整理番号：14A0493213

Breakdown Voltage In Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Devices Induced By Ion Beams

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=14A0493213&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=14A0493213&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0071C") }}

著者 (11件)： , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 1525 ページ： 654-658 発行年： 2013年
JST資料番号： D0071C ISSN： 0094-243X 資料種別：会議録 (C)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

, , , , , ,

前のページに戻る