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J-GLOBAL ID:201402240839357861   整理番号:14A0493213

イオン・ビームにより誘起されるシリコン・カーバイド金属酸化物半導体素子の破壊電圧

Breakdown Voltage In Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Devices Induced By Ion Beams
著者 (11件):
資料名:
巻: 1525  ページ: 654-658  発行年: 2013年 
JST資料番号: D0071C  ISSN: 0094-243X  資料種別: 会議録 (C)
発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)

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