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J-GLOBAL ID:201402240877320610   整理番号:14A1043559

TbIII-ポルフィリン-ダブルデッカー錯体の単分子磁気的性質の切替と炭素表面上でのそれらの超分子構造の観察

Switching of Single-Molecule Magnetic Properties of TbIII-Porphyrin Double-Decker Complexes and Observation of Their Supramolecular Structures on a Carbon Surface
著者 (9件):
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巻: 20  号: 36  ページ: 11362-11369  発行年: 2014年09月01日 
JST資料番号: W0744A  ISSN: 0947-6539  CODEN: CEUJED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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単分子磁石(SMMs)に基づくダブルデッカー錯体は,配位子状態と炭素材料上の二次元超分子構造両者の制御が極めて重要となる分子スピントロニクス応用で非常に有力な分子である。本研究はプロトン化,アニオンおよびラジカル形からなる各種電子構造を有する2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチルポルフィリン(OEP)-TbIIIダブルデッカー錯体の合成と研究に注目した。磁化率測定はOEP-TbIIIダブルデッカー錯体のアニオンおよびラジカル形がSMM特性を示すことを明らかにした。磁気モーメント反転の障壁高さの推定値はアニオンおよびラジカル形でそれぞれ207,215cm-1となった。走査型トンネル顕微鏡(STM)研究は希釈ジクロロメタン溶液の滴下キャスティング時にOEP-TbIII錯体が高規則性単分子膜を生成することを明らかにした。三つの錯体全てはポルフィリン-Tb核の電子構造の差異に関係なく等モルフォロジー擬六角形二次元パターンを生成した。化学変換を示すこれら材料の超薄層膜が有害な再組織化を必要としないため,SMM技術として本結果は興味深い。最後に著者らはSMM活性部位の制御配列を達成した超分子設計の成功事例として,プロトン化5,15-ビスドデシルポルフィリン(BDP)-TbIIIの二層構造の錯体の自己集合を示した。Copyright 2014 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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第3族元素の錯体  ,  有機化合物の磁性 

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