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J-GLOBAL ID：201402242216008761   整理番号：14A1471183

InGaNとInNのエピタキシャル成長に関する理論的なアプローチの進歩:Inの取り込み効率と構造安定性

Progress in theoretical approach to InGaN and InN epitaxy: In incorporation efficiency and structural stability

著者 (4件)： KANGAWA Yoshihiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ITO Tomonori (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  KOUKITU Akinori (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 10  ページ： 100202.1-100202.11  発行年： 2014年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaNとInNの表面の安定性,成長プロセスと構造の安定性を理論的な観点から議論する。2001年に,第一原理計算に基づく新しい理論的アプローチが開発された。この理論的な方法によって,表面の安定性に対する分圧や温度のような成長条件の影響を研究することができる。非極性および半極性表面上に成長させたInGaNにおけるInの取り込み効率に関する研究を行うために,理論的アプローチを適用した。計算結果は,このような表面に形成されるN-H層がInの取り込みにおいて重要な役割を果たすことを示唆している。更に,加圧反応炉を用いたMOVPE法によって成長させたInNの構造安定性を概説する。理論的なアプローチから,ファセットの形成が閃亜鉛鉱構造を持つ縞状結晶の自発的な形成を誘起することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *窒化インジウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *エピタクシー ,  *安定性 ,  計算 ,  表面 ,  取込 ,  ファセット ,  閃亜鉛鉱型結晶
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  構造安定性 ,  第一原理計算 ,  表面安定性 ,  縞状

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (67件)：

• W. C. Johnson, J. B. Parson, and M. C. Crew, J. Phys. Chem. 36, 2651 (1932).
• A. Addamiano, J. Electrochem. Soc. 108, 1072 (1961).
• H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969).
• B. B. Kosicki, R. J. Powell, and J. C. Burgiel, Phys. Rev. Lett. 24, 1421 (1970).
• V. Lemos, C. A. Argüello, and R. C. C. Leite, Solid State Commun. 11, 1351 (1972).

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  InN ,  エピタキシャル成長 ,  理論 ,  取り込み ,  構造安定性