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J-GLOBAL ID：201402242534423808   整理番号：14A0760504

珪素上の領域選択成長により成長させたInGaAs p-i-nマイクロディスク中の近赤外エレクトロルミネセンスと光検出

Near-infrared electroluminescence and photo detection in InGaAs p-i-n microdisks grown by selective area growth on silicon

著者 (3件)： KJELLMAN Jon Oyvind (Res. Center for Advanced Sci. and Technol., The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8904, JPN) ,  SUGIYAMA Masakazu (Dep. of Electrical Engineering and Information System, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Bunkyo ...) ,  NAKANO Yoshiaki (Dep. of Electrical Engineering and Information System, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Bunkyo ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 104  号： 24  ページ： 241103-241103-4  発行年： 2014年06月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 選択成長 ,  ケイ素 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  素子構造 ,  PINダイオード ,  光検出器 ,  *光検出 ,  発光スペクトル ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  電流電圧特性 ,  *エレクトロルミネセンス ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： p-i-n素子構造 ,  領域選択成長

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 珪素 ,  領域選択成長 ,  成長 ,  InGaAs ,  マイクロディスク ,  近赤外 ,  エレクトロルミネセンス ,  光検出