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J-GLOBAL ID：201402243169514501   整理番号：14A0750207

バックツーバック接続したサブセルの相補的スイッチングによって低動作電流を示すTaO_x/HfO_yダブルスイッチング層構成を使った新規RRAMスタック

A Novel RRAM Stack With TaO_x/HfO_y Double-Switching-Layer Configuration Showing Low Operation Current Through Complimentary Switching of Back-to-Back Connected Subcells

著者 (6件)： TANG Yan Zhe (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  FANG Zheng (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  WANG Xin Peng (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  WENG Bao Bin (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  CHEN Zhi Xian (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  LO Guo Qiang (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 35  号： 6  ページ： 627-629  発行年： 2014年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全CMOS適合の材料系を採用した新規HfO₂系RRAMスタック(TiN-TaO_x-Hf-HfO_y-TiN)を実証した。2種のサブセル(Hf-TaO_x-TiNとHf-HfO_y-TiN)をバックツーバックにて直列接続することにより,本RRAMセルは35μAという低スイッチング電流,安定なオン/オフ比,2×10⁴を超えるDCサイクルなど,優れたスイッチング性能を示した。スイッチング特性を検討し,相補的なセット/リセット過程の伝導パス/フィラメントサイズが十分コントロールされて低電流で安定に動作することを確認した。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  スイッチング ,  不揮発性メモリ ,  積層構造 ,  記憶素子 ,  比率 ,  電流 ,  酸化ハフニウム ,  酸化タンタル
準シソーラス用語： *RRAM ,  オンオフ比 ,  スイッチング電流 ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  セル ,  スイッチング ,  RRAM ,  スタック