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J-GLOBAL ID:201402243177093337   整理番号:14A0575839

改良型Becke-Johnson交換ポテンシャルを用いたBi2GaTaO7に関する第一原理エネルギーバンド計算

Improved calculation of band gap of Bi2GaTaO7 crystal with modified Becke-Johnson exchange potential
著者 (6件):
資料名:
号: 47  ページ: 53-56 (WEB ONLY)  発行年: 2014年01月 
JST資料番号: U0250A  ISSN: 2185-7598  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Bi系金属酸化物は酸化Tiより高い光触媒活性を示すことが見出され,光触媒材料として注目を浴びている。Bi2GaTaO7について改良型Becke-Johnson交換ポテンシャルを用いて電子構造を計算した。エネルギーバンド図から価電子帯の頂上はN点,電子伝導帯の底はZ点にあり,Bi2GaTaO7は間接遷移型の物質であることがわかった。N-Z間の最小エネルギーは2.18 eVで実験値(約2.5 eV)に近い。Bi2GaTaO7の全状態密度と構成元素各々の全状態密度図から,価電子帯は下部価電子帯と上部価電子帯に区別でき,前者はBi 6s状態が,後者は主にO 2p状態が支配している。伝導帯の低エネルギー側はTa 5dに支配され,高エネルギー側はBi,O, Gaの寄与が加わる。複素誘電関数の計算から,屈折率は約2.0,バンドギャップ吸収にはz方向の異方性があることがわかった。
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分類 (2件):
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塩基,金属酸化物  ,  分子の電子構造 
タイトルに関連する用語 (3件):
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