文献

J-GLOBAL ID：201402243270373579   整理番号：14A0371546

ミニマル抵抗加熱炉で形成した熱酸化膜の電気的特性

著者 (19件)： 中戸克彦 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  浅野均 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  鈴木真之佑 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  鈴木真之佑 (光洋サーモシステム) ,  松田祥吾 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  松田祥吾 (光洋サーモシステム) ,  柳沼綾美 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  柳沼綾美 (光洋サーモシステム) ,  森川清彦 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  森川清彦 (光洋サーモシステム) ,  服部昌 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  服部昌 (光洋サーモシステム) ,  三ケ原孝則 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  池田伸一 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  池田伸一 (産業技術総合研) ,  KHUMPUANG Sommawan (ミニマルファブ技術研究組合) ,  KHUMPUANG Sommawan (産業技術総合研) ,  原史朗 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  原史朗 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-E14-12  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  *酸化膜 ,  *熱酸化 ,  電気的性質 ,  *加熱炉 ,  抵抗加熱 ,  ウエハ【IC】 ,  薄膜成長 ,  表面再構成 ,  容量電圧特性 ,  MOS構造 ,  半導体集積回路 ,  薄膜形成 ,  *化成皮膜

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 抵抗加熱 ,  熱酸化膜 ,  電気的特性