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J-GLOBAL ID：201402244790500448   整理番号：14A0050036

CaF₂単結晶基板上に堆積したFeSe_0.5Te_0.5薄膜中のトラップされたフラクソイドの走査SQUID顕微鏡による解析

Analysis of trapped fluxoids in FeSe_0.5Te_0.5 thin film deposited on a CaF₂ single crystalline substrate by scanning SQUID microscopy

著者 (8件)： KIM Gracia (Kyushu Univ.) ,  INOUE Masayoshi (Kyushu Univ.) ,  IMAMURA Kazutaka (Kyushu Univ.) ,  HIGASHIKAWA Kohei (Kyushu Univ.) ,  KISS Takanobu (Kyushu Univ.) ,  BRACCINI Valeria (CNR-SPIN Genova) ,  BELLINGERI Emilio (CNR-SPIN Genova) ,  PUTTI Marina (CNR-SPIN Genova)
資料名： 低温工学・超電導学会講演概要集  (低温工学・超電導学会研究発表会講演概要集)
巻： 88th  ページ： 221  発行年： 2013年12月04日 
JST資料番号： G0564B  ISSN： 0919-5998  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *超伝導薄膜 ,  *高温超伝導体 ,  セレン化物 ,  テルル化物 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  フッ化カルシウム ,  *磁束量子 ,  温度依存性 ,  エピタクシー ,  レーザ蒸着 ,  *鉄系超伝導体 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： PLD【蒸着】 ,  SQUID顕微鏡 ,  フラクソイド

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： CaF2 ,  単結晶基板 ,  堆積 ,  薄膜 ,  フラクソイド ,  走査 ,  SQUID顕微鏡 ,  解析