擬似キャパシタンス性能の向上した中空Ni<sub>3</sub>S<sub>2</sub>ナノ粒子のグラフェンテンプレートによる合成

OU Xuewu; GAN Lin; LUO Zhengtang

文献

J-GLOBAL ID：201402245334552041 整理番号：14A1389128

擬似キャパシタンス性能の向上した中空Ni₃S₂ナノ粒子のグラフェンテンプレートによる合成

Graphene-templated growth of hollow Ni₃S₂ nanoparticles with enhanced pseudocapacitive performance

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巻： 2 号： 45 ページ： 19214-19220 発行年： 2014年12月07日
JST資料番号： W0204B ISSN： 2050-7488 CODEN： JMCAET 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

穏やかな反応条件で二次元還元型酸化グラフェン(rGO)テンプレート上に,粒径分布が狭く均一分散の液滴形中空Ni₃S₂ナノ粒子と,その内部を一部ニッケル充填したナノ粒子を調製した。ナノ複合体粒子を,エネルギー貯蔵のための電気化学スーパーキャパシタ材料として研究した。ナノ粒子はグラフェンテンプレートと強い相互作用を有し,その原因の1つとして表面の湿潤性を確実にするグラフェン-ニッケルイオン相互作用を挙げた。このグラフェン上で成長した中空ナノNi₃S₂ナノ粒子は,高比静電容量を示す。中空コアの一部をニッケルで充填したコア-シェルNi@Ni₃S₂/rGOでは定格がさらに改善し,放電電流密度を1A/gから10A/gに増加しても比静電容量の93.6%が保たれる。

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無機化合物一般及び元素 , 電気化学一般 , 静電機器

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擬似キャパシタンス性能の向上した中空Ni3S2ナノ粒子のグラフェンテンプレートによる合成

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