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J-GLOBAL ID：201402247924356720   整理番号：14A1374917

多官能性一次元ロジウム(I)-セミキノナート錯体 結晶構造および固体特性におよぼす置換基の影響

Multifunctional One-Dimensional Rhodium(I)-Semiquinonato Complex: Substituent Effects on Crystal Structures and Solid-State Properties

著者 (9件)： MITSUMI Minoru (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  OHTAKE Shoji (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KAKUNO Yuki (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KOMATSU Yuuki (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  OZAWA Yoshiki (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  TORIUMI Koshiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  YASUDA Nobuhiro (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN) ,  AZUMA Nobuaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MIYAZAKI Yuji (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 53  号： 21  ページ： 11710-11720  発行年： 2014年11月03日 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [Rh(CO)₂(L)]錯体(L=3,6-ジtertブチル-1,2-ベンゾキノン;3,6-ジtertブチル-4,5-(N,N’-ジエチレンジアミン)-1,2-ベンゾキノン;3,6-ジtertブチル-4,5-(プロパンジオキシ)-ベンゾキノン)を合成した。シンクロトロン放射光源X線回折により結晶構造を決定した。熱容量,磁化率,電気伝導率を測定した。3,6-ジtertブチル-4,5-(プロパンジオキシ)-ベンゾキノンは229.1Kに相転移を示し,低温では強磁性,室温では反強磁性であった。さらに一次元鎖の半強磁性結合スピン間打消しが不充分であるため磁気モーメントの長距離秩序を示し(T_N=10.9K),半導体性は室温の低い活性化障壁(Ea=31meV)から低温の高い障壁(Ea=199meV)へのクロスオーバを示した。これらの特徴は3,6-ジtertブチル-4,5-ジメトキシ-1,2-ベンゾキノンにも共通するが,交流磁化率の観測からドメイン壁に起因する周波数依存性を示すことが異なる。3,6-ジtertブチル-4,5-(N,N’-ジエチレンジアミン)-1,2-ベンゾキノンは一次元鎖の強い二量体構造により強磁性を示さず,絶縁体であった。

シソーラス用語： *ロジウム錯体 ,  *セミキノン ,  結晶構造 ,  *置換基効果 ,  *配位子効果 ,  カルボニル錯体 ,  錯体生成 ,  シンクロトロン放射 ,  X線回折 ,  熱容量 ,  磁化率 ,  電気伝導率 ,  相転移 ,  強磁性 ,  反強磁性 ,  磁気モーメント ,  長範囲規則度 ,  半導体 ,  ポテンシャル障壁 ,  周波数依存性 ,  絶縁材料 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 活性化障壁 ,  長距離秩序

分類 (4件)： 白金族元素の錯体  (CE01100E) ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

物質索引 (3件)： (3,6-ジ-tert-ブチル-4,5-ジメトキシ-1-ヒドロキシ-2-オキソ-3,5-シクロヘキサジエニル)ラジカル ,  [6,9-ジ-tert-ブチル-7-ヒドロキシ-8-オキソ-3,4,7,8-テトラヒドロ-2H-1,5-ベンゾジオキセピン-7-イル]ラジカル ,  (5,8-ジ-tert-ブチル-6-ヒドロキシ-7-オキソ-6,7-ジヒドロキノキサリン-6-イル)ラジカル

タイトルに関連する用語 (6件)： 多官能性 ,  ロジウム ,  錯体 ,  結晶構造 ,  固体 ,  置換基