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J-GLOBAL ID：201402250454490353   整理番号：14A1103180

MoS₂/グラフェンヘテロ接合接点を持つ多層MoS₂FETの電気特性

Electrical Characteristics of Multilayer MoS₂ FET’s with MoS₂/Graphene Heterojunction Contacts

著者 (7件)： KWAK Joon Young (Cornell Univ., New York, USA) ,  HWANG Jeonghyun (Cornell Univ., New York, USA) ,  CALDERON Brian (Cornell Univ., New York, USA) ,  ALSALMAN Hussain (Cornell Univ., New York, USA) ,  MUNOZ Nini (Cornell Univ., New York, USA) ,  SCHUTTER Brian (Cornell Univ., New York, USA) ,  SPENCER Michael G. (Cornell Univ., New York, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 14  号： 8  ページ： 4511-4516  発行年： 2014年08月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 剥離したMoS₂薄片に接合するTi接点とグラフェン接点を設けたバックゲート型FETを作製し,キャリア輸送特性とMoS₂/グラフェンヘテロ接合を研究した。電流電圧特性の温度依存性から,剥離したMoS₂の非意図的なドナー濃度,及びイオン化ドナー濃度を決定し,また二つの支配的なドナー準位が伝導帯の下,それぞれ0.27及び0.05eVであることを示した。接合界面のFermi準位は熱平衡状態において高濃度の深い準位のドナーにより実効的にピン止めされている。両方の接点の接合のキャリア輸送はバイアス電圧と温度により熱電界放出,或は電界放出の何れかである。熱電界放出モデルを用いてMoS₂/グラフェン接合とMoS₂/Ti接合のSchottky障壁高さを算出した。

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *ヘテロ接合 ,  *チタン ,  *炭素材 ,  *FET【トランジスタ】 ,  特性 ,  キャリア ,  *ドナー ,  *濃度 ,  不純物準位 ,  Fermi準位 ,  伝導バンド ,  Schottky障壁 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ドナー準位 ,  *二硫化モリブデン ,  伝導帯 ,  輸送特性

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  硫黄とその化合物  (YB02020L) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： MoS2 ,  グラフェン ,  ヘテロ接合 ,  多層 ,  電気特性