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J-GLOBAL ID：201402251199344875   整理番号：14A0849134

原子層堆積法によるZnOナノ粒子修飾HfO₂/Sn-ドープIn₂O₃コア-シェルナノワイア:電界放出挙動の表面修飾エンジニアリングによる増強

ZnO nanoparticle-decorated HfO₂/Sn-doped In₂O₃ Core-shell nanowires by atomic layer deposition: enhancement of field emission behavior by surface modification engineering

著者 (7件)： CHANG Wen-Chih (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Chi-Hsin (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LAI Chih-Chung (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  TSAI Hsu-Sheng (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Shih-Min (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Su-Jien (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHUEH Yu-Lun (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 2  号： 27  ページ： 5335-5341  発行年： 2014年07月21日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO,In₂O₃,及びTiO₂などのナノワイアは,より大きなアスペクト比と独特の特性を持つナノ構造に起因して電界放出の研究によく利用される。本研究で筆者らは,電界放出特性を改良するために,ZnOナノ粒子修飾HfO₂/Sn-ドープIn₂O₃コア-シェルナノワイアを原子層堆積法によって合成した。Sn-ドープITOナノワイア表面の均一なHfO₂薄膜が,電導性ZnOナノ結晶の成長のための別の核形成表面を与え,HfO₂層の表面により多くの電界放出サイトをもたらす。ZnOナノ粒子修飾HfO₂/ITOコア-シェルナノワイアの表面形態と化学結合の情報を透過型電子顕微鏡(TEM)とX線光電子分光法(XPS)によって得た。スタッキング効果を電気的ポテンシャルと生成機構の観点から調べて提案した。本研究の知見は,ナノデバイスの応用のための電界放出特性の改良のための有効な方法を提供する。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *酸化インジウム ,  *酸化ハフニウム ,  *ナノ粒子 ,  *スズ ,  ドーピング ,  構造 ,  ナノワイヤ ,  *化学蒸着 ,  *電界放出 ,  表面改質 ,  結晶成長 ,  固体素子 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  ナノデバイス

分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (14件)： 原子層堆積法 ,  ZnOナノ粒子 ,  修飾 ,  HfO2 ,  Sn ,  ドープ ,  コア ,  シェル ,  ナノワイア ,  電界放出 ,  挙動 ,  表面修飾 ,  エンジニアリング ,  増強