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J-GLOBAL ID:201402251511421793   整理番号:14A1128957

バルクGaN基板上の1.5kVと2.2mΩ-cm2垂直GaNトランジスタ

1.5-kV and 2.2-mΩ-cm2 Vertical GaN Transistors on Bulk-GaN Substrates
著者 (10件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 939-941  発行年: 2014年09月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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バルクGaN基板上にパワー半導体デバイスを製作することにより,真のアバランシェブレークダウン性や薄膜上に製作したデバイスにおける熱管理問題の無い垂直アーキテクチャを作ることができる。本稿では,疑似バルクGaN基板上に製作した垂直GaNトランジスタについて報告した。このデバイスは閾値電圧0.5V,飽和電流>2.3A,ブレークダウン電圧1.5kV,オン抵抗2.2mΩ-cm2を示した。
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 
タイトルに関連する用語 (4件):
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