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J-GLOBAL ID：201402254531243580   整理番号：14A0622720

高密度プラズマフォーカスデバイスを用いて作製された酸化ランタン高κ誘電体単分子層に基づく金属-絶縁体-金属キャパシタ

Metal-insulator-metal capacitors based on lanthanum oxide high-κ dielectric nanolayers fabricated using dense plasma focus device

著者 (4件)： MANGLA Onkar (Dep. of Physics and Astrophysics, Univ. of Delhi, Delhi 110007, IND) ,  SRIVASTAVA Asutosh (Electronics and Communication Engineering, Indian Inst. for Information Technology-Design and Manufacturing ...) ,  MALHOTRA Yashi (Dep. of Physics and Astrophysics, Univ. of Delhi, Delhi 110007, IND) ,  OSTRIKOV Kostya (Ken) (Plasma Nanoscience Laboratories, CSIRO Materials Sci. and Engineering, P.O. Box 218, Lindfield, NSW 2070 and Plasma ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 32  号： 3  ページ： 03D107-03D107-8  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 混合信号集積回路(IC)への可能な応用に向けて,酸化ランタン(La₂O₃)高κ誘電体を用いた金属-絶縁体-金属(MIM)キャパシタを高密度プラズマフォーカスデバイスを用いて作製した。作製したナノデバイスの電気的特性とモルフォロジー的性質を研究した。このMIMキャパシタを更にアニールして低漏洩電流密度,高容量密度,容量電圧直線性の改善の観点で電気的性質を増強した。-1Vで最小漏洩電流密度~1.6×10^-9A/cm²,と~2.0×10^-10A/cm²が100kHzで~17.96fF/μm²と1MHzで~19.10fF/μm²の最大容量密度と共にそれぞれ作製されたままとアニールされたMIMキャパシタに対して得られた。MIMキャパシタの誘電体層の厚さは15nmであることが偏光解析で測定された。最小平均自乗根粗度~10nmのナノ薄膜を原子間力顕微鏡で調べた。その結果はたのいくつかのMIMキャパシタと比べて優れており,高周波(RF)/混合信号ICに向けての応用可能性のために最良の電気パラメータを実現するために最適化可能である。高周波C-V測定は周波数の増加と共に容量密度の増加を示しており,このMIMキャパシタの高周波/RF応用への可能性を支持している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマフォーカス装置 ,  *酸化ランタン ,  *絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  *MIM構造 ,  薄膜コンデンサ ,  *集積回路 ,  *漏れ電流 ,  静電容量 ,  容量電圧特性 ,  表面性状 ,  表面粗さ ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： MIMキャパシタ ,  高κゲート誘電体

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高密度プラズマ ,  フォーカス ,  作製 ,  酸化ランタン ,  誘電体 ,  単分子層 ,  絶縁体 ,  キャパシタ