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J-GLOBAL ID：201402255163420368   整理番号：14A1097781

III-V族化合物半導体の電気化学エッチングと微細加工への応用

著者 (4件)： 佐藤威友 (北大 量集セ) ,  熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  渡部晃生 (北大 量集セ) ,  谷田部然治 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.17P-A14-2  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 構造 ,  *微細加工 ,  エッチング ,  光照射 ,  化合物半導体 ,  リン化インジウム ,  窒化ガリウム ,  穴 ,  配列 ,  光起電素子 ,  FET【トランジスタ】 ,  光電気化学エッチング ,  III-V半導体
準シソーラス用語： III-V族化合物半導体 ,  イオン感応性電界効果トランジスター ,  多孔質構造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： III-V族化合物半導体 ,  電気化学エッチング ,  微細加工 ,  応用