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J-GLOBAL ID：201402255815255178   整理番号：13A1912956

ナノスケールトランジスタのランダム閾値電圧変動に及ぼす短チャネル効果の影響

Impacts of short-channel effects on the random threshold voltage variation in nanoscale transistors

著者 (4件)： Wang Runsheng (Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing) ,  Yu Tao (Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing) ,  Huang Ru (Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing) ,  Wang Yangyuan (Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing)
資料名： Science China. Information Sciences  (Science China. Information Sciences)
巻： 56  号： 6  ページ： 062403-1-062403-7  発行年： 2013年 
JST資料番号： C2579A  ISSN： 1674-733X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文で,ナノスケールバルクMOSFETのランダム閾値電圧(V_(TH))変動に及ぼす素子短チャネル効果(SCE)の影響を研究した。最初に,SCEとランダム変異の間の直接関係を考察した。SCEの指数として静電気完全性(EI)を採用して,ランダムV TH変異による素子SCEのはっきりした相関関係を観察した。そしてそれはランダム変異が同じチャネルドーピングでMOS素子のSCEを単純に改良することによって減らせることを示した。さらに,σV TH誘発ランダムドープ剤変動(RDF)は,EIとチャネルドーピングとの線形関係を持った。その次に,RDFモデリングへのSCEの寄与を考慮して,X_(VT)プロットの新しい正規化方法を提案した。そしてそれは異なるプロセス/素子パラメータすなわち異なる静電気設計でナノスケールMOSFETのランダムV_(TH)変動を分析する物理的方法を提供した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *短チャネル効果 ,  規模 ,  トランジスタ ,  電圧変動 ,  電圧 ,  パラメータ ,  MOSFET ,  ドーピング ,  電気設計
準シソーラス用語： ナノスケール ,  閾値電圧 ,  MOS素子

分類 (1件)： 数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (2件)： 閾値電圧 ,  短チャネル効果