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J-GLOBAL ID：201402257139857251   整理番号：14A0180605

不揮発性メモリ用Ge-Cu-Te系相変化材料の研究

著者 (4件)： 須藤祐司 (東北大 大学院工学研究科) ,  齊藤雄太 (東北大 大学院工学研究科) ,  齊藤雄太 (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  小池淳一 (東北大 未来科学技術共同研究セ)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 53  号： 2  ページ： 45-51  発行年： 2014年02月01日 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Ge-Cu-Te三元系合金に注目した。Ge-Cu-Te三元系にはGeCu₂Te₃化合物が存在し,そのTmは約500°CとGe₂Sb₂Te₅に比べ100°C以上低い。また,液相線がGeCu₂Te₃に向かって落ち込んでおり,GeCu₂Te₃組成付近ではアモルファス相が得やすい特徴を持つ。最近,GeCu₂Te₃化合物はアモルファス⇔結晶間の可逆的な相変化を示し,また,高い結晶化温度を有することが分かった。Ge₂Sb₂Te₅との比較を交えながら,GeCu₂Te₃化合物型PCMの相変化挙動とメモリ特性などを述べた。GeTeとCuTeターゲットを用いた同時スパッタリング法によりGeCu₂Te₃薄膜を作製し,その相変化温度を調べた。X線回折により皮膜のままのGeCu₂Te₃薄膜はアモルファス相を呈することを確認した。アモルファス相の耐熱性,結晶化過程,相変化による体積変化と反射率変化,相変化速度を検討した。Ge₂Sb₂Te₅と同様に,GeCu₂Te₃を用いたデバイスにおいても電気パルス印加により結晶化とアモルファス化ができ,PCRAMメモリ特性を有することを確認した。

シソーラス用語： 材料 ,  *PRAM【メモリ】 ,  不揮発性メモリ ,  非晶質 ,  結晶化 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化物 ,  ゲルマニウム合金 ,  銅合金 ,  テルル合金 ,  ゲルマニウム添加合金 ,  銅添加合金 ,  テルル添加合金 ,  相転移 ,  銅化合物 ,  反射率 ,  アモルファス化 ,  ターゲット ,  スパッタリング ,  半導体薄膜 ,  パルス ,  三成分系 ,  テルル化ゲルマニウム ,  相変化材料 ,  体積変化
準シソーラス用語： 電気パルス

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (37件)：

• (1) N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira and M. Takao: J. Appl. Phys., 69(1991), 2849-2856.
• (2) S. Lai and T. Lowrey: IEDM Tech. Dig., 36(2001), 803-806.
• (3) S. Lai: IEDM Tech. Dig., 10(2003), 255-258.
• (4) Y. N. Hwang, S. H. Lee, S. J. Ahn, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, H. S. Hong, H. C. Koo, F. Yeung, J. H. Oh, H. J. Kim, W. C. Jeong, J. H. Park, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong and K. Kim: IEDM Tech. Dig., 37(2003), 893-896.
• (5) A. L. Lacaita: Solid. State. Electron., 50(2006), 24-31.

タイトルに関連する用語 (6件)： 不揮発性メモリ ,  Ge ,  Cu ,  Te ,  相変化材料 ,  研究