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J-GLOBAL ID：201402259769412030   整理番号：14A0765276

核形成を制御する金誘起結晶化による柔軟性プラスチック上に形成された方位を制御した大結晶粒(≧50μm)のGeにおける高キャリア移動度

High carrier mobility in orientation-controlled large-grain (≧50 μm) Ge directly formed on flexible plastic by nucleation-controlled gold-induced-crystallization

著者 (5件)： PARK Jong-hyeok (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  KASAHARA Kenji (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  HAMAYA Kohei (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  SADOH Taizoh (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 104  号： 25  ページ： 252110-252110-4  発行年： 2014年06月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 核形成 ,  *結晶化 ,  金 ,  基板 ,  柔軟性 ,  プラスチック ,  *ゲルマニウム ,  半導体 ,  結晶粒度 ,  キャリア移動度 ,  正孔 ,  固溶度 ,  温度依存性 ,  *金属誘起結晶化 ,  正孔移動度

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 核形成 ,  金 ,  誘起 ,  結晶化 ,  プラスチック ,  方位 ,  結晶粒 ,  Ge ,  キャリア移動度