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J-GLOBAL ID：201402261351901381   整理番号：14A0184921

Radical Assisted Sputtering法により作製したTa₂O₅固体電解質薄膜の特性改善

著者 (7件)： 西田悠光 (都城工高専) ,  西田悠光 (東京工大 大学院) ,  清文博 (ホンダロック) ,  河野慶彦 (ホンダロック) ,  福留政治 (ホンダロック) ,  佐井旭陽 (ホンダロック) ,  野口大輔 (都城工高専)
資料名： 都城工業高等専門学校研究報告  (Research Report of Miyakonojo National College of Technology)
号： 48  ページ： 54-62  発行年： 2014年01月 
JST資料番号： G0388A  ISSN： 0286-116X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 固体電解質を用いたエレクトロクロミックディスプレイ(ECD)では,材料として用いられるTa₂O₅膜のイオン伝導度の低さが応答性を低下させ実用化の課題になっている。本稿では,RAS(Radical Assisted Sputtering)法による固体電解質の成膜中に,一定時間の酸素ラジカル照射を行う新しい方法(RS処理)により応答特性を向上させた。まず,RAS法およびRS処理による成膜手順を説明した。次に作成した固体電解質の評価方法を述べた。次に,評価結果とその考察として,イオン伝導度,表面構造,相対密度,組成,RS処理の効果などについて言及した。RS処理の効果については,1)RS処理時間に伴ってイオン伝導度が上昇しており,ECD応答性向上はイオン伝導特性の改善のためと考えられる,2)RS処理時間の増加に伴うTa-O結合量の上昇は酸素欠陥が減少したためであると考えられる,などを述べた。

シソーラス用語： 反応性スパッタリング ,  ラジカル反応 ,  *固体電解質 ,  *酸化タンタル ,  *エレクトロクロミックディスプレイ ,  電気伝導率 ,  薄膜 ,  イオン伝導 ,  表面構造 ,  結晶度 ,  含水量 ,  化学組成 ,  酸化 ,  酸化膜
準シソーラス用語： イオン伝導度 ,  性能改善 ,  電解質膜

分類 (3件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L) ,  表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 作製 ,  Ta2O5 ,  固体電解質 ,  薄膜 ,  特性改善