文献

J-GLOBAL ID：201402261816473535   整理番号：14A0605623

低温プロセスを使用したcMUTデバイス製作の進歩

Progresses in cMUT device fabrication using low temperature processes

著者 (5件)： BAHETTE E (Univ. Francois Rabelais, Tours, FRA) ,  MICHAUD J F (Univ. Francois Rabelais, Tours, FRA) ,  CERTON D (Univ. Francois Rabelais, Tours, FRA) ,  GROSS D (Univ. Francois Rabelais, Tours, FRA) ,  ALQUIER D (Univ. Francois Rabelais, Tours, FRA)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 24  号： 4  ページ： 045020,1-12  発行年： 2014年04月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MEMSアプリケーションの中で,静電容量型微細加工超音波変換器(cMUT)は,医用イメージング用の従来の圧電変換器の代替として期待されている。本稿では,低温プロセス(400°C以下)によるcMUT製作法について報告した。ケイ化ニッケル層を底部電極として使った。200°C PECVDプロセスを使って窒化ケイ素膜を蒸着した。さらにニッケル膜を犠牲層として使った。製作後,共振周波数,崩壊電圧および電気機械結合係数を評価し,シミュレーション結果と一致することを確認した。最後に,低いチャージング効果と低い初期たわみから良好な長期使用とエージングが予測できた。

シソーラス用語： *超音波変換器 ,  *マイクロマシニング ,  MEMS ,  半導体プロセス ,  画像処理 ,  撮像 ,  *医用画像 ,  ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  プラズマCVD ,  窒化ケイ素 ,  共振周波数 ,  結合係数
準シソーラス用語： PECVD ,  ケイ化ニッケル ,  *医用イメージング ,  *静電容量型微細加工超音波変換器 ,  低温プロセス ,  電気機械結合係数

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  医用画像処理  (JE04020T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低温プロセス ,  CMUT ,  製作