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J-GLOBAL ID：201402262673160804   整理番号：14A1457908

化学浴堆積法技術で作成したCuO膜とn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の構造と電気特性

Structural and electrical properties of CuO films and n-ZnO/p-CuO heterojunctions prepared by chemical bath deposition based technique

著者 (4件)： TERASAKO Tomoaki (Graduate School of Sci. & Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN) ,  MURAKAMI Toshihiro (Graduate School of Sci. & Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN) ,  HYODOU Atsushi (Fac. of Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN) ,  SHIRAKATA Sho (Graduate School of Sci. & Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 132  ページ： 74-79  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱アニーリング工程を含む化学浴堆積法で作成したCuO膜とZnO/CuOヘテロ接合の構造と電気特性を走査型電子顕微鏡法,X線回折,電流密度-電圧,および容量-電圧測定で調べた。未処理のCuO膜は,空気中,温度200~300°C域でのアニーリング後,p型伝導を示した。n-ZnO/p-CuOヘテロ接合は,柱状CuO粒とZnOナノロッドで構成され,その電流密度-電圧曲線は,大きなダイオード理想因子(n)と漏れ電流をともなう整流特性を示した。浸漬被覆法で作成したZnOとCuO層の間のZnO中間層は,n値の低減と漏れ電流の抑制に効果的である。ZnO/浸漬被覆ZnO/CuOヘテロ接合のしきい値電圧(V_th),内蔵ポテンシャル(V_bi)とn値は,アニーリング温度(T_A)に強く依存し,250~300°C付近で最小になった。順方向対逆方向電流の整流比は,同じT_A域で極めて小さくなり,V_thとV_biの低い値は,構造的不完全性により導入された界面状態を介するトンネル過程によるものである。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *析出 ,  *ヘテロ接合 ,  *酸化銅 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  *電気特性 ,  容量電圧特性 ,  熱処理 ,  ナノロッド ,  粒子 ,  構造 ,  漏れ電流 ,  因子 ,  電圧 ,  界面 ,  トンネル効果 ,  *格子欠陥 ,  比率 ,  *ダイオード ,  柱状構造 ,  電流密度-電圧特性 ,  理想因子 ,  閾値電圧
準シソーラス用語： *化学浴堆積 ,  構造欠陥 ,  整流比 ,  走査型電子顕微鏡

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学浴堆積 ,  CuO ,  ZnO ,  ヘテロ接合 ,  電気特性