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J-GLOBAL ID：201402262820532402   整理番号：14A1103512

シリコンのパルスYAGレーザ融解による深い準位不純物によるハイパードーピング

Hyperdoping of silicon with deep-level impurities by pulsed YAG laser melting

著者 (10件)： UMEZU Ikurou (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  NAITO Muneyuki (Konan Univ., Dep. of Chemistry, 658-8501, Kobe, JPN) ,  KAWABE Daisuke (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  KOSHIBA Yusuke (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  NAGAO Katsuki (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  SUGIMURA Akira (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  AOKI Tamao (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  INADA Mitsuru (Kansai Univ., Dep. of Pure and Applied Physics, 564-8680, Suita, JPN) ,  SAITOH Tadashi (Kansai Univ., Dep. of Pure and Applied Physics, 564-8680, Suita, JPN) ,  KOHNO Atsushi (Fukuoka Univ., Dep. of Applied Physics, 814-0180, Fukuoka, JPN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 117  号： 1  ページ： 155-159  発行年： 2014年10月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深い準位不純物によるハイパードーピングは中間バンド半導体を作製する有望な方法である。著者らはイオン注入とそれに続くパルスYAGレーザ融解によって深い準位不純物,硫黄とチタン,をハイパードープしたシリコンを作製した。硫黄とチタンのハイパードーピングプロセスを比較研究した。後続するパルスレーザ融解によってアモルファス硫黄及びチタンイオン注入層は単結晶に変化した。パルスレーザ融解後の硫黄不純物の深さ分布はイオン注入試料のそれと類似であるが,チタンのハイパードーピングでは大きな偏析が見られた。結晶度と偏析度はレーザショット数と最初に注入されたチタンの照射量に依存した。チタンのハイパードーピングに対しては結晶度と不純物の深さ分布の間にトレードオフがある。材料処理の観点から,硫黄で超ドープされた高品質単結晶シリコンの形成はチタンによるものより容易である。硫黄超ドープ試料については,中赤外光吸収と光伝導の間の相関も議論した。Copyright 2014 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *イオン注入 ,  *レーザ融解 ,  *深い準位 ,  不純物 ,  *ドーピング ,  *硫黄 ,  *チタン ,  結晶度 ,  偏析 ,  結晶化 ,  パルスレーザ照射 ,  YAGレーザ ,  不純物分布 ,  *単結晶 ,  *深さ分布 ,  赤外吸収スペクトル ,  光伝導
準シソーラス用語： *ハイパードーピング ,  光伝導率 ,  中赤外線

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  パルス ,  YAGレーザ ,  融解 ,  深い準位 ,  不純物