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J-GLOBAL ID：201402263670170678   整理番号：14A0511988

Siイオン注入チャネルとコンタクトによるβ-Ga₂O₃(010)基板上のデプレッションモードGa₂O₃MOSFET

Depletion-Mode Ga₂O₃ MOSFETs on β-Ga₂O₃ (010) Substrates with Si-Ion-Implanted Channel and Contacts

著者 (9件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  SASAKI Kohei (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  WONG Man Hoi (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  KAMIMURA Takafumi (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  KRISHNAMURTHY Daivasigamani (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  MASUI Takekazu (Koha Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., Saitama, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2013  ページ： 707-710  発行年： 2013年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga₂O₃は非常に大きなバンドギャップ(4.7~4.9eV)を持ち,大量生産にも適していてパワーデバイスとして期待される。デプレッションモードGa₂O₃MOSFETを単結晶β-Ga₂O₃(010)基板上に製作した。オーミックコンタクトとチャネル層にSiイオン注入を行っている。ALDによるAl₂O₃ゲート誘電体膜がデバイス表面をパシベートしゲートリークを減らしている。単純な構造のMOSFETはブレークダウン電圧415Vで完全なチャネルピンチオフを示し,ドレイン電流のオン/オフ比は室温で10桁の大きさである。デバイスは250°Cまで安定な動作をした。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *酸化ガリウム ,  ケイ素 ,  イオン注入 ,  バンドギャップ ,  酸化アルミニウム ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  不動態化 ,  漏れ電流 ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  半導体素子 ,  ゲート絶縁膜 ,  絶縁破壊電圧 ,  改変
準シソーラス用語： ゲートリーク電流 ,  ゲート誘電体 ,  シリコン ,  パッシベーション ,  *パワーデバイス ,  ブレークダウン電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Siイオン ,  注入 ,  チャネル ,  コンタクト