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J-GLOBAL ID:201402264321664112   整理番号:14A0464055

シリコンフォトニクスにおける磁気光学非相反性素子

Magneto-optical non-reciprocal devices in silicon photonics
著者 (2件):
資料名:
巻: 15  号:ページ: 014602 (WEB ONLY)  発行年: 2014年02月 
JST資料番号: U7009A  ISSN: 1878-5514  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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磁気光学効果を基にしたシリコン導波路光学非相反性素子をレビューする。一次磁気光学効果により生じた非相反位相シフトはシリコン導波路プラットホームにおいて光学非相反性素子の実現に有効である。SOI導波路において埋め込み酸化物層の低い屈折率が磁気光学位相シフトを増し,素子の痕跡を減らす。磁気光学位相シフトに基づくシリコン導波路光アイソレータを,波長1548nmにおいて光遮断30dBと挿入損失13dBで実証した。さらに,四点法光サーキュレータを,波長1531nmにおいて十字とバー部分での最大遮断がそれぞれ15.3と9.3dBで実証した。(翻訳著者抄録)
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