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J-GLOBAL ID：201402265001284474   整理番号：14A0434898

テラヘルツ電磁波を用いたSiGe薄膜評価システムの開発

著者 (5件)： 中村彰宏 (岡山大 大学院自然科学研究科) ,  大村健 (岡山大 大学院自然科学研究科) ,  堺健司 (岡山大 大学院自然科学研究科) ,  紀和利彦 (岡山大 大学院自然科学研究科) ,  塚田啓二 (岡山大 大学院自然科学研究科)
資料名： 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
巻： 2013  ページ： 126  発行年： 2013年07月27日 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電磁波 ,  *半導体材料 ,  不純物 ,  キャリア移動度 ,  ホウ素
準シソーラス用語： *SiGe ,  *テラヘルツ電磁波 ,  ボロン

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： テラヘルツ電磁波 ,  SiGe ,  薄膜 ,  評価システム ,  開発