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J-GLOBAL ID：201402266178858884   整理番号：13A1951670

プラズマ支援された分子ビームエピタキシャル法による自立した(1100)GaN基板上へ成長した均一なAlGaN/GaN超格子

Homogeneous AlGaN/GaN superlattices grown on free-standing (1100) GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (5件)： SHAO Jiayi (Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  ZAKHAROV Dmitri N. (Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National Lab., Upton, New York 11973, USA) ,  EDMUNDS Colin (Physics Dep., Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  MALIS Oana (Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  MANFRA Michael J. (Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 23  ページ： 232103-232103-4  発行年： 2013年12月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  膜 ,  *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  超格子 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *プラズマ支援MBE成長 ,  自立膜

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (9件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビーム ,  エピタキシャル ,  自立 ,  GaN ,  成長 ,  AlGaN ,  超格子