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J-GLOBAL ID：201402266376203532   整理番号：14A0007842

プラズモニクス応用のための制御可能な高キャリア濃度を持つGeドープGaN

Ge doped GaN with controllable high carrier concentration for plasmonic applications

著者 (11件)： KIRSTE Ronny (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  HOFFMANN Marc P. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  SACHET Edward (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  BOBEA Milena (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  BRYAN Zachary (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  BRYAN Isaac (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  NENSTIEL Christian (Inst. fuer Festkoerperphsyik, TU-Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, DEU) ,  HOFFMANN Axel (Inst. fuer Festkoerperphsyik, TU-Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, DEU) ,  MARIA Jon-paul (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  COLLAZO Ramon (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  SITAR Zlatko (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 24  ページ： 242107-242107-4  発行年： 2013年12月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： プラズモン ,  キャリア密度 ,  ドーピング ,  ゲルマニウム ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  可制御性 ,  *光ルミネセンス ,  紫外可視発光スペクトル ,  バンドギャップ ,  偏光解析法 ,  プラズマ ,  *表面プラズモン
準シソーラス用語： プラズモニック素子 ,  電子プラズマ

分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズモニクス ,  応用 ,  キャリア濃度 ,  Ge ,  ドープ ,  GaN