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J-GLOBAL ID:201402266443324552   整理番号:14A0825342

単結晶シリコンにおける電気化学誘引および配向依存亀裂成長

Electrochemically induced and orientation dependent crack propagation in single crystal silicon
著者 (12件):
資料名:
巻: 267  ページ: 739-743  発行年: 2014年12月01日 
JST資料番号: B0703B  ISSN: 0378-7753  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究は,リチオ化Siウエハの亀裂挙動に対し,直接観察を報告する。異なる配向Siウエハの亀裂挙動を比較するため,<100>,<110>および<111>軸を持つ,3種類の異なるSiウエハを調べる。各配向ウエハにおける電気化学誘引の亀裂は,異なる亀裂挙動を持つ。何故ならば,その亀裂の開始および成長は,それらの配向および歪エネルギー放出速度により,強く影響されるからである。また,三角こぶおよび亀裂は,(111)ウエハにて形成されることが分かった,がこれは,本研究にて初めて発見された。Siの体積膨張,亀裂および粉砕が,Liイオン電池用Siの商業用使用に対し主要な課題であることを考慮し,本研究は,先進Siアノード材料の設計に関連する重要な洞察を提供する。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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