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J-GLOBAL ID：201402266693489719   整理番号：14A1019354

高周波プラズマ励起分子線エピタキシャル法によるグラフェン/Si(100)基板上におけるGaNの成長

Radio-frequency plasma-excited molecular beam epitaxy growth of GaN on graphene/Si(100) substrates

著者 (12件)： ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  UCHIMURA Satoru (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SAKAGUCHI Junichi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  FUJISHIMA Tatsuya (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  HSU Allen (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  KIM Ki Kang (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  PALACIOS Tomas (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  PESQUERA Amaia (Graphenea S.A., Donostia-San Sebastian, ESP) ,  CENTENO Alba (Graphenea S.A., Donostia-San Sebastian, ESP) ,  ZURUTUZA Amaia (Graphenea S.A., Donostia-San Sebastian, ESP)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 7  号： 7  ページ： 071001.1-071001.3  発行年： 2014年07月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波プラズマ励起の分子線エピタキシャル法によって,グラフェン/Si(100)基板上にc-軸配向の強い六方晶の(0001)GaNを成長させた。Si(100)表面上に転送されたグラフェンの持つ六方対称性によって,高度にc-軸配向したGaN薄膜が成長することが分かった。また,成長させたGaNに関するX線回折によって測定した(0002)ロッキング・カーブの半値全幅は,11.3分であることが分かった。立方相包含物に起因する3.2eVに位置するフォトルミネッセンスに加えて,3.4eVに強いカソードルミネッセンスが観測された。透過型電子顕微鏡による微小構造の研究から,グラフェン/Si(100)基板上には六方晶の(0001)GaNの成長が確認された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  プラズマ ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  炭素材 ,  *六方晶系 ,  X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  FWHM ,  *光ルミネセンス ,  *陰極線ルミネセンス ,  透過型電子顕微鏡 ,  微細構造 ,  グラフェン
準シソーラス用語： *プラズマMBE ,  高周波プラズマ ,  半値全幅

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (14件)：

• X. Zhang, S. Chua, P. Li, K. Chong, and Z. Feng, Appl. Phys. Lett. 74, 1984 (1999).
• F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, and A. Krost, J. Cryst. Growth 272, 496 (2004).
• F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, T. Hempel, A. Diez, J. Christen, and A. Krost, J. Cryst. Growth 289, 485 (2006).
• G. N. Chaudhari, V. R. Chinchamaiatpure, and S. A. Ghosh, Am. J. Anal. Chem. 2, 984 (2011).
• J. W. Chung, J.-K. Lee, and T. Palacios, IEEE Electron Device Lett. 30, 1015 (2009).

タイトルに関連する用語 (8件)： 高周波プラズマ ,  励起 ,  分子線 ,  エピタキシャル ,  グラフェン ,  Si ,  GaN ,  成長