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J-GLOBAL ID：201402267831091396   整理番号：14A0224097

0.13μmSiGe BiCMOS技術による20dB利得と4dB雑音指数を持つ110GHz LNA

A 110GHz LNA with 20dB Gain and 4dB Noise Figure in an 0.13μm SiGe BiCMOS Technology

著者 (7件)： ULUSOY A.Cagri (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  ULUSOY A.Cagri (Georgia Inst. Technol., GA) ,  KAYNAK Mehmet (IHP Microelectronics, Frankfurt(Oder), DEU) ,  VALENTA Vaclav (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  TILLACK Bernd (IHP Microelectronics, Frankfurt(Oder), DEU) ,  TILLACK Bernd (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  SCHUMACHER Hermann (Univ. Ulm, Ulm, DEU)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2013 Vol.1  ページ： 441-443  発行年： 2013年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IHPの0.13μmSiGe BiCMOS技術であるSG13G2を使って110GHz低雑音増幅器(LNA)を設計試作した。プロセスはft/fmax/BVCEOが300GHz/500GHz/1.6Vの高速HBTで,デュアルゲート酸化物0.13μmCMOSプロセスである。LNAは2段縦続増幅器からなり,整合ネットワークのためのリアクタンスは薄膜マイクロストリップ線路(TFMSL)により実現した。また,低雑音性能を最適化するためにトランジスタのサイズとバイアス電流を選択し,フィンガ数が5,バイアス電流3.2mAとした。試作したIC回路は760×540μmで1.9V電圧給電で消費電力17mWであった。雑音指数の測定結果は80~95GHzにおいて4~5dB,95~110GHzでは平均4dBであった。これはこれまでの発表の最良値である。

シソーラス用語： *EHF【周波数】 ,  *低雑音増幅器 ,  *BiCMOS ,  雑音指数 ,  CMOS構造 ,  HBT【トランジスタ】 ,  マイクロストリップ線路 ,  MMIC
準シソーラス用語： LNA ,  SiGe BiCMOS

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： BiCMOS ,  利得 ,  雑音指数 ,  LNA