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J-GLOBAL ID：201402269117245773   整理番号：14A0196289

電気注入金属空洞半導体ナノレーザ製造の課題

Fabrication challenges of electrical injection metallic cavity semiconductor nanolasers

著者 (2件)： DING K (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  NING C Z (Arizona State Univ., AZ, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 28  号： 12  ページ： 124002,1-10  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *ナノ構造 ,  波長 ,  パターン形成 ,  エッチング ,  不動態化 ,  閾値 ,  リン化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *半導体プロセス ,  複素誘電率 ,  空洞 ,  サブ波長
準シソーラス用語： *ナノレーザ ,  *金属空洞 ,  表面不動態化

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 注入 ,  空洞 ,  ナノレーザ