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J-GLOBAL ID：201402269523142551   整理番号：14A0297176

電子とイオンビームの欠陥修復システムでのマスク汚染の研究

Mask contamination study in electron and ion beam repair system

著者 (6件)： AHN Hyo-Jin (PKL-Photronics, Choongnam, KOR) ,  KIM Jong-Min (PKL-Photronics, Choongnam, KOR) ,  LEE Dong-Seok (PKL-Photronics, Choongnam, KOR) ,  LEE Gyu-Yong (PKL-Photronics, Choongnam, KOR) ,  LEE Dong-Heok (PKL-Photronics, Choongnam, KOR) ,  CHOI Sang-Soo (PKL-Photronics, Choongnam, KOR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8880  ページ： 88801T.1-88801T.8  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 32nm半導体プロセスなどに利用するフォトマスクの欠陥修復システムにおいて,フォトマスク汚染のクリーニングに起因する反射率の変化の原因を調べるために,汚染物質や汚染源の発見について検討した。汚染物質や汚染源は,修復システムの反応ガスや真空チェンバ壁面からの汚染物であると考えられることから,TOF-SIMSや原子間力顕微鏡法などの表面分析法を利用した。フォトマスク材料にはOMOG(Opaque MoSi on Glass)を利用した。波長257nmの検査装置で光を走査したときの反射率の変化,走査領域でのイオンビームの強度変化,クリーニング前後での反射率の変化などの特性を示した。また,炭化水素の汚染物質の表面堆積過程を解析し,反射率変化を定量的に分析した。MoSi吸収体の変化を調べることで,反射率に影響を及ぼす二つの要因を明確化した。炭化水素の汚染物質の他に,イオンビームで誘起された二次電子が関与することが分かった。

シソーラス用語： フォトリソグラフィー ,  原子間力顕微鏡 ,  *フォトマスク ,  イオンビーム ,  真空容器 ,  表面分析 ,  汚染物質 ,  炭化水素 ,  半導体プロセス ,  電子ビーム ,  *加工欠陥 ,  修理 ,  反射率 ,  吸収体 ,  二次電子放出 ,  *汚染
準シソーラス用語： *フォトマスク欠陥 ,  欠陥修復

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子 ,  イオンビーム ,  欠陥修復 ,  マスク ,  汚染 ,  研究