H<sub>2</sub>O雰囲気内での反応性スパッタリングによる水素化酸化イットリウム薄膜と酸化チタン薄膜の形成とその電気的性質

ABE Yoshio; LI Ning; NISHIMOTO Kosuke; KAWAMURA Modori; KIM Kyung Ho; SUZUKI Tsutomu

文献

J-GLOBAL ID：201402270867636845 整理番号：14A0829291

H₂O雰囲気内での反応性スパッタリングによる水素化酸化イットリウム薄膜と酸化チタン薄膜の形成とその電気的性質

Formation of hydrated yttrium oxide and titanium oxide thin films by reactive sputtering in H₂O atmosphere and their electrical properties

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資料名：
巻： 53 号： 6 ページ： 068002.1-068002.3 発行年： 2014年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

H₂O雰囲気内での反応性スパッタリングによる水素化酸化イットリウム薄膜と酸化チタン薄膜を-30~+130°Cの基板温度で作製した。酸化イットリウム膜の電気伝導率は基板温度の減少とともに増大した。電気伝導率の増大は,OH結合による赤外吸収強度の増大と一致し,酸化イットリウム膜においてはプロトン伝導が支配的であると考えられる。それに対して,酸化チタン膜の伝導率は基板温度の増大とともに増大し,この膜では電子伝導が支配的であると思われる。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜 , その他の無機化合物の電気伝導

引用文献 (31件)：

M. Kitao, H. Akram, K. Urabe, and S. Yamada, J. Electron. Mater. 21, 419 (1992).
Y. Sone, A. Kishimoto, and T. Kudo, Solid State Ionics 70-71, 316 (1994).
P. van der Sluis and V. M. M. Merrier, Electrochim. Acta 46, 2167 (2001).
T. Niwa and O. Takai, Thin Solid Films 518, 1722 (2010).
K. Tajima, Y. Yamada, S. Bao, M. Okada, and K. Yoshimura, Appl. Phys. Express 1, 067007 (2008).

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