文献

J-GLOBAL ID：201402271686479353   整理番号：14A1213687

パルスレーザ堆積を用いて(11-20)サファイア基板上に成長したWドープZnO膜の電気的性質及び光学的性質

Electrical and optical properties of W-doped ZnO films grownon (11bar{2}0) sapphire substrates using pulsed laser deposition

著者 (7件)： ADACHI Yutaka (Optoelectronic Materials Group, Optical and Electronic Materials Unit, National Inst. for ...) ,  SAITO Noriko (Ceramics Chemistry Group, Optical and Electronic Materials Unit, NIMS) ,  HASHIGUCHI Minako (Optoelectronic Materials Group, Optical and Electronic Materials Unit, National Inst. for ...) ,  SAKAGUCHI Isao (Ceramics Chemistry Group, Optical and Electronic Materials Unit, NIMS) ,  SUZUKI Taku (Ceramics Chemistry Group, Optical and Electronic Materials Unit, NIMS) ,  OHASHI Naoki (Optoelectronic Materials Group, Optical and Electronic Materials Unit, National Inst. for ...) ,  HISHITA Shunichi (Ceramics Chemistry Group, Optical and Electronic Materials Unit, NIMS)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 122  号： 1430  ページ： 908-913 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ堆積法(PLD)を用い,ドーピング濃度が異なるW_xZn_1-xO膜をサファイヤの(11-20)面上に作製した。膜中のW含有量が3.6at%未満の場合,c軸配向W_xZn_1-xO膜が面内回転ドメイン無しで成長した。W含有量に関係なく,膜は可視-近赤外領域で約80%の高い透過率を示し,吸収端のシフトは観察されなかった。ホール測定の結果から,膜のWのドーピング効率が0.15電子/W以下であることを明らかにした。W_xZn_1-xO膜の電子移動度は14~35cm²V^-1s^-1あり,PLDを用いて成長したアンドープZnO膜に比べて相対的に低かった。この低いドーピング効率及び電子移動度は,Wドーピングに起因する欠陥の形成が原因と考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  酸化物 ,  *透明導電膜 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  タングステン ,  レーザ蒸着 ,  微細構造 ,  *電気的性質 ,  *光学的性質 ,  結晶方位 ,  濃度依存性 ,  透過率 ,  キャリア移動度 ,  格子欠陥 ,  X線回折分析 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  Hall移動度 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 透明導電性酸化物 ,  パルスレーザ堆積 ,  サファイア基板 ,  微細組織 ,  結晶配向 ,  光透過率 ,  電子移動度

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

引用文献 (37件)：

• 1) T. Minami, MRS Bull., 25, 38–44 (2000).
• 2) T. Minami, Semicond. Sci. Technol., 20, S35–S44 (2005).
• 3) K. Ellmer, J. Phys. D Appl. Phys., 34, 3097–3108 (2001).
• 4) M. Lorenz, E. M. Kaidashev, H. von Wenckstern, V. Riede, C. Bundesmann, D. Spemann, G. Benndorf, H. Hochmuth, A. Rahm, H. C. Semmelhack and M. Grundmann, Solid-State Electron., 47, 2205–2209 (2003).
• 5) T. Yamada, H. Makino, N. Yamamoto and T. Yamamoto, J. Appl. Phys., 107, 123534 (2010).

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ堆積 ,  サファイア基板 ,  成長 ,  ドープ ,  ZnO ,  電気的性質 ,  光学的性質