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J-GLOBAL ID：201402271699763786   整理番号：14A0479595

半導体性二次元遷移金属二カルコゲン化物のデバイスへの新しい応用

Emerging Device Applications for Semiconducting Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides

著者 (5件)： JARIWALA Deep (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  SANGWAN Vinod K. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  LAUHON Lincoln J. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  MARKS Tobin J. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  HERSAM Mark C. (Northwestern Univ., Illinois, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 8  号： 2  ページ： 1102-1120  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子的に薄い二次元半導体薄膜の合成法として剥離法に注目した。剥離法を利用することで,遷移金属二カルコゲン化物の二次元半導体薄膜を容易に合成できる。二次元半導体薄膜の特性とその応用について展望した。二次元構造におけるバンドギャップの特性,バンドギャップの生成機構,バンドギャップでの直接遷移などの特性を説明した。また,van der Waalsヘテロ構造などの接合特性も説明した。これらの物理的特性を理解することで,ディジタルエレクトロニクス,オプトエレクトロニクス,ナノエレクトロニクスなどの分野でデバイス応用が考えられた。電界効果トランジスタ,光検出器,太陽電池,発光ダイオード,光センサなどに利用できる。電子材料としての長所と短所を示した。

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  FET【トランジスタ】 ,  電子技術 ,  *ナノ構造 ,  発光ダイオード ,  カルコゲン化物 ,  物理的性質 ,  *半導体薄膜 ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  遷移金属 ,  *遷移金属化合物 ,  二次元 ,  剥離 ,  バンドギャップ ,  電子遷移 ,  van der Waals力 ,  光検出器 ,  太陽電池 ,  光センサ ,  *電気材料
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  直接遷移

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 遷移金属二カルコゲン化物 ,  応用