文献

J-GLOBAL ID：201402271882343052   整理番号：14A1108917

触媒ドーピング リンおよびホウ素を結晶シリコンに80°Cで浅ドーピングする新しい方法

Cat-doping: Novel method for phosphorus and boron shallow doping in crystalline silicon at 80 °C

著者 (8件)： MATSUMURA Hideki (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN) ,  HAYAKAWA Taro (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN) ,  OHTA Tatsunori (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN) ,  NAKASHIMA Yuki (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN) ,  MIYAMOTO Motoharu (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN) ,  THI Trinh Cham (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN) ,  KOYAMA Koichi (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN) ,  OHDAIRA Keisuke (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 116  号： 11  ページ： 114502-114502-10  発行年： 2014年09月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 触媒活性 ,  *ドーピング ,  *リン ,  *ホウ素 ,  *ケイ素 ,  遷移金属触媒 ,  電気特性 ,  計測 ,  Hall効果 ,  二次イオン質量分析 ,  深さプロフィル ,  表面電位 ,  少数キャリア ,  温度依存性 ,  キャリア密度 ,  活性化エネルギー ,  キャリア寿命 ,  ホスフィン ,  ジボラン ,  *タングステン ,  接触分解 ,  *触媒 ,  van der Pauw法 ,  タングステン触媒 ,  結晶性シリコン ,  ポリボラン
準シソーラス用語： 結晶シリコン ,  接触反応 ,  表面再結合速度

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 触媒 ,  ドーピング ,  リン ,  ホウ素 ,  結晶シリコン