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J-GLOBAL ID：201402271972041012   整理番号：14A1181927

シリコン膜におけるナノ細孔の酸化 サブ10nm円形開口の自己制限形成

Oxidation of nanopores in a silicon membrane: self-limiting formation of sub-10 nm circular openings

著者 (6件)： ZHANG Miao (KTH Royal Inst. of Technol., Kista-Stockholm, SWE) ,  SCHMIDT Torsten (KTH Royal Inst. of Technol., Kista-Stockholm, SWE) ,  SANGGHALEH Fatemeh (KTH Royal Inst. of Technol., Kista-Stockholm, SWE) ,  ROXHED Niclas (KTH Royal Inst. of Technol., Kista-Stockholm, SWE) ,  SYCHUGOV Ilya (KTH Royal Inst. of Technol., Kista-Stockholm, SWE) ,  LINNROS Jan (KTH Royal Inst. of Technol., Kista-Stockholm, SWE)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 25  号： 35  ページ： 355302,1-8  発行年： 2014年09月05日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 乾燥熱酸化を用いた逆ピラミッド細孔の自己制限収縮により,シリコン膜におけるナノ細孔アレイを作製した。酸化後,細孔の収縮率は飽和した。完全な円形の酸化細孔を得た。収縮過程は,細孔径分布を広げないことを細孔幅の統計が示した。多くの場合,細孔幅は若干減少した。集束イオンビームおよび電子顕微鏡により,細孔周辺の酸化物の進行および酸化物の変形を特性化した。初期の逆ピラミッド幾何形状が,自己制限収縮に対する決定因子であるらしいことを細孔の横断面イメージが示唆した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *膜 ,  *細孔 ,  *ナノ構造 ,  *酸化 ,  熱酸化 ,  角錐 ,  収縮 ,  細孔径分布 ,  集束イオンビーム ,  電子顕微鏡 ,  断面 ,  *ナノ細孔 ,  横断面
準シソーラス用語： *シリコン ,  ピラミッド

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化,還元  (CF02060T)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン膜 ,  ナノ細孔 ,  酸化 ,  サブ ,  円形 ,  自己 ,  制限