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J-GLOBAL ID:201402272249545521   整理番号:13A1961865

Co100-xIrxスパッタ膜の異方性

Atomic layer stacking structure and negative uniaxial magnetocrystalline anisotropy of Co100-xIrx sputtered films
著者 (7件):
資料名:
巻: 37  号: 3-2  ページ: 183-189 (J-STAGE)  発行年: 2013年 
JST資料番号: Z0944A  ISSN: 1882-2924  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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負一軸磁気結晶異方性(Ku)は原子層積層構造に対するCo100-xIrx薄膜の多様な組成に対して評価された。600°Cの基板温度(Tsub)で作製された純粋Co膜は6.1×106erg/cm3の正Kuを持つことが分かった。xが増加すると,Kuの記号は正から負に変化し,負KuはTsub=600°Cで作製された膜でx=20原子%付近でー9.6×106erg/cm3の最大値となった。Irをさらに増やすと,x=50原子%より上で0になる負Kuの絶対値が減少した。X線回折分析と走査型透過電子顕微鏡は,Co100-xIrx膜の原子層積層構造はIr含有量を増やした場合に-A-B-A-B-(hcp)から-A-B-C-A-B-C(fcc)積層に変化することを明らかにした。さらに,Co80Ir20粒子は純粋のCoおよび純粋のIr層近傍で2種類のランダム配置組成変調原子層で構成されることを明らかにし,その上で,CoとCo50Ir50は不規則構造を持つ。今回,従来の規則構造とは異なる超格子回折により原子層状構造に関する新しい視点を検討した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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薄膜成長技術・装置  ,  電子・磁気・光学記録 
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