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J-GLOBAL ID：201402272413538442   整理番号：14A0056064

長/短チャネルn-FinFETにおけるチャネルホットキャリア劣化メカニズム

Channel Hot Carrier Degradation Mechanism in Long/Short Channel n-FinFETs

著者 (11件)： CHO Moonju (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  ROUSSEL Philippe (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  KACZER Ben (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  DEGRAEVE Robin (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  FRANCO Jacopo (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  AOULAICHE Marc (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  CHIARELLA Thomas (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  KAUERAUF Thomas (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  HORIGUCHI Naoto (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN Guido (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN Guido (Katholieke Universiteit, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 12  ページ： 4002-4007  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-FinFETのチャネルホットキャリア劣化メカニズムを長/短チャネルのデバイスで調べた。長チャネルデバイスでは,主にホットキャリアによる界面劣化が最大衝突イオン化が生じる小さい縦電界(V_G~V_D/2)でデバイスを劣化させる。しかしながら,より高いV_Gでは酸化膜バルク欠陥へのコールド/ホットキャリア注入が増加し,最終的にV_G=V_Dの高い縦電界ストレス条件では支配的になる。それに対して,短チャネルデバイスではV_G=V_D近くの高電界ストレスで大量のホットキャリアが生成される。酸化膜バルク欠陥に注入されたホットキャリアが,コールドキャリア注入とホットキャリアによる界面劣化を超えて主な劣化メカニズムになっている。

シソーラス用語： キャリア捕獲 ,  FET【トランジスタ】 ,  *ホットキャリア ,  論理素子 ,  MOSFET ,  衝突イオン化 ,  キャリア注入 ,  電流電圧特性 ,  機構
準シソーラス用語： *FinFET ,  マルチゲートFET ,  電荷捕獲 ,  *劣化機構

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 短チャネル ,  チャネル ,  ホットキャリア ,  メカニズム