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J-GLOBAL ID：201402273486979630   整理番号：14A1224878

GaNおよびSiCパワーデバイスにおける信頼性問題

Reliability issues in GaN and SiC power devices

著者 (1件)： UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp., Osaka, JPN)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2014 Vol.1  ページ： 260-265  発行年： 2014年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  炭化ケイ素 ,  半導体素子 ,  *信頼性 ,  FET【トランジスタ】 ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： GaN ,  HFET ,  SiC ,  *パワーデバイス ,  電流コラプス

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  SiCパワーデバイス