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J-GLOBAL ID：201402273583345815   整理番号：14A0455048

次世代高性能シリコン薄膜デバイス製造に向けた低温シリコン膜の研究開発(平成23年度)

著者 (3件)： 福田永 (室蘭工大) ,  植杉克弘 (室蘭工大) ,  城尚志 (帝人 融合技研)
資料名： 室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告
号： 24  ページ： 1-3  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： L5514A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ペルフルオロ(4-ビニルオキシ-1-ブテン)を環化重合させた構造のフッ素樹脂サイトップ(CYTOP)を電荷蓄積層として機能させる有機半導体トランジスタ(OTFT)型メモリデバイスを報告した。ゲート絶縁膜をSiO₂/CYTOPの積層構造とし,チャネル層にはp型有機半導体であるP3HTを用いた。P3HT薄膜を自立薄膜転写(FTM)法により製膜して,pチャネルタイプOTFTを作成した。これは従来のスピンコート法によるものより良好な出力特性とメモリ特性を得ることができた。FTM法は,クロロホルムに溶解したP3HTを非水貧溶媒であるエチレングリコール上に滴下し薄膜を形成するために,本来の結晶性を乱すことなくP3HTが凝集し,良好な特性が得られたと考えた。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  薄膜 ,  フッ素樹脂 ,  *薄膜トランジスタ ,  ポリヘキシルチオフェン ,  記憶装置 ,  記憶素子 ,  電流電圧特性 ,  電流 ,  電圧 ,  記憶構造 ,  有機半導体 ,  高分子薄膜 ,  製膜 ,  自立膜
準シソーラス用語： P3HT【重合体】 ,  ゲート電圧 ,  ドレイン電流 ,  メモリ構造 ,  *OTFT

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  記憶装置  (JC04060F)

物質索引 (1件)： 1,1,2,4,4,5,5,6,7,7-デカフルオロ-3-オキサ-1,6-ヘプタジエン

引用文献 (3件)：

• 八瀬清志著,「有機エレクトロニクスにおける分子配向 技術」,(株)シーエムシー出版,2007,pp.8
• 尾川 元,杉山徳英,神田眞宏,岡野邦子,Reports Res. Lab. Asahi Glass Co., Ltd.,55,2005,pp.47-51
• 田口裕一,伊東栄次,宮入圭一,電子情報通信学会信学技報 IEICE Technical Report CME2005-81,2005,pp.5-10

タイトルに関連する用語 (7件)： 次世代 ,  高性能 ,  シリコン薄膜 ,  低温 ,  シリコン膜 ,  研究 ,  開発